规格书 |
MJD31,32 (C) |
文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 75 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 3A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1.2V @ 375mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) | 50µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 10 @ 3A, 4V |
功率 - 最大 | 1.56W |
频率转换 | 3MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3DPAK |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 100 V |
集电极最大直流电流 | 3 A |
最小直流电流增益 | 25@1A@4V|10@3A@4V |
最大工作频率 | 3(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@375mA@3A V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1560 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 3 |
Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 1560 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 100 |
最低工作温度 | -65 |
供应商封装形式 | DPAK |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 6.73(Max) |
最大集电极发射极电压 | 100 |
包装高度 | 2.38(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Rail |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 3A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 3MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1.2V @ 375mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) | 50µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | DPAK-3 |
功率 - 最大 | 1.56W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 10 @ 3A, 4V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Bipolar Power |
配置 | Single |
外形尺寸 | 2.38 x 6.73 x 6.22mm |
身高 | 2.38mm |
长度 | 6.73mm |
最大集电极基极电压 | 100 V |
最大基地发射极电压 | 5 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
包装类型 | DPAK |
宽度 | 6.22mm |
工厂包装数量 | 75 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1.2 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 25 at 1 A at 4 V |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 3 A |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :100V |
功耗 | :1.56W |
DC Collector Current | :3A |
DC Current Gain hFE | :3 |
Operating Temperature Min | :-65°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-252 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Application Code | :PGP |
Collector Emitter Voltage Vces | :1.2V |
连续集电极电流Ic最大 | :3A |
Current Ic Continuous a Max | :3A |
Current Ic hFE | :1A |
外部深度 | :10.28mm |
External Length / Height | :2.38mm |
外宽 | :6.73mm |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Gain Bandwidth ft Min | :3MHz |
Gain Bandwidth ft Typ | :3MHz |
Hfe Min | :10 |
No. of Transistors | :1 |
Power Dissipation Ptot Max | :15W |
SMD Marking | :MJD31C |
Voltage Vcbo | :100V |
Weight (kg) | 0.0004 |
Tariff No. | 85412900 |
Current,Collector | 3A |
Current,Gain | 50 |
频率 | 3MHz |
PackageType | DPAK |
极性 | NPN |
PowerDissipation | 15W |
PrimaryType | Si |
Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 8.3°C/W |
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 100V |
Voltage,CollectortoBase | 100V |
Voltage,CollectortoEmitter | 100V |
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 1.2V |
Voltage,EmittertoBase | 5V |
案例 | DPAK |
Transistor type | NPN |
功率 | 15W |
极化 | bipolar |
Multiplicity | 1 |
Collector-emitter voltage | 100V |
Gross weight | 0.67 g |
Collector current | 3A |
Collective package [pcs] | 75 |
spg | 75 |
associated | RE901 FK 244 13 D PAK FK 244 08 D PAK |
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